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出售全新进口原装 AO3401 AO3401A 沟道 丝印 X1** 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AO3401类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:30V工作电流:3.4A最大允许功耗:1.15W用途:MOS-ARR/陈列组件加工定制:否V DS:-30V GS:±12I D:-4I DM:-27P D:1.4数据列表:AO3401标准包装
2019-12-15
提供全新进口原装 AO3401 AO3401A 沟道 丝印 X1** 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AO3401类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:30V工作电流:3.4A最大允许功耗:1.15W用途:MOS-ARR/陈列组件加工定制:否V DS:-30V GS:±12I D:-4I DM:-27P D:1.4数据列表:AO3401标准包装
2019-11-03
全新进口原装 AO3401 AO3401A 沟道 丝印 X1** 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AO3401类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:30V工作电流:3.4A最大允许功耗:1.15W用途:MOS-ARR/陈列组件加工定制:否V DS:-30V GS:±12I D:-4I DM:-27P D:1.4数据列表:AO3401标准包装
2019-11-03
AOS美国万代 AON6504 AON6504 N 沟道 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AON6504类型:结型场效应管沟道类型:N型沟道适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:30V工作电流:85AFET 类型:N 沟道漏源电压(Vdss):30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Tc)功率耗散(最大值):7.3W(Ta),83W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ
2019-09-20
AOS美国万代 D442 AOD442 TO252 N 沟道 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AOD442类型:结型场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:60VV工作电流:7A(Ta),37A(Tc)AFET 类型:N 沟道漏源电压(Vdss):60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta),37A(Tc)Vgs(最大值):±20V工作温度
2019-05-21
AOS美国万代 6358 AON6358 DFN5X6 N 沟道 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AON6358类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:30V工作电流:5.7A最大允许功耗:1.4W用途:MOSFET - 单外形尺寸:SOT23-3mm加工定制:否功率耗散(最大值):1.4W(Ta)数据列表:AON6358标准包
2019-05-16
全新进口原装 7407 AON7407 AON7407 P 沟道场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AON7407类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:20VV工作电流:14.5A(Ta),40A(Tc)AFET 类型:P 沟道漏源电压(Vdss):20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),40A(Tc)驱动
2019-04-02
AOS美国万代 AON7410 AON7410 N 沟道 场效应管
品牌:AOS/美国万代型号:AON7410类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:30 VV工作电流:9.5A(Ta),24A(Tc)A最大允许功耗:1.4W用途:MOSFET - 单外形尺寸:SOT23-3mm加工定制:否FET 类型:N 沟道漏源电压(Vdss)
2019-01-21