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出售全新进口原装 AO3401 AO3401A 沟道丝印 X1** 场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AO3401类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：P型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：3.4A最大允许功耗：1.15W用途：MOS-ARR/陈列组件加工定制：否V DS：-30V GS：±12I D：-4I DM：-27P D：1.4数据列表：AO3401标准包装
提供全新进口原装 AO3401 AO3401A 沟道丝印 X1** 场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AO3401类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：P型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：3.4A最大允许功耗：1.15W用途：MOS-ARR/陈列组件加工定制：否V DS：-30V GS：±12I D：-4I DM：-27P D：1.4数据列表：AO3401标准包装
全新进口原装 AO3401 AO3401A 沟道丝印 X1** 场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AO3401类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：P型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：3.4A最大允许功耗：1.15W用途：MOS-ARR/陈列组件加工定制：否V DS：-30V GS：±12I D：-4I DM：-27P D：1.4数据列表：AO3401标准包装
AOS美国万代 AON6504 AON6504 N 沟道场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AON6504类型：结型场效应管沟道类型：N型沟道适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：85AFET 类型：N 沟道漏源电压（Vdss）：30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：85A（Tc）功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ
AOS美国万代 D442 AOD442 TO252 N 沟道场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AOD442类型：结型场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：60VV工作电流：7A（Ta），37A（Tc）AFET 类型：N 沟道漏源电压（Vdss）：60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A（Ta），37A（Tc）Vgs（最大值）：±20V工作温度
AOS美国万代 6358 AON6358 DFN5X6 N 沟道场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AON6358类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：5.7A最大允许功耗：1.4W用途：MOSFET - 单外形尺寸：SOT23-3mm加工定制：否功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）数据列表：AON6358标准包
全新进口原装 7407 AON7407 AON7407 P 沟道场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AON7407类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：P型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：P-FET硅P沟道工作电压：20VV工作电流：14.5A（Ta），40A（Tc）AFET 类型：P 沟道漏源电压（Vdss）：20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14.5A（Ta），40A（Tc）驱动
AOS美国万代 AON7410 AON7410 N 沟道场效应管

品牌：AOS/美国万代型号：AON7410类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30 VV工作电流：9.5A（Ta），24A（Tc）A最大允许功耗：1.4W用途：MOSFET - 单外形尺寸：SOT23-3mm加工定制：否FET 类型：N 沟道漏源电压（Vdss）

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